半导体
这里汇总该分类下的所有研究文章。
先进封装：后摩尔时代，算力竞赛的第二战场
定义：先进封装是以倒装、晶圆级封装、2.5D/3D 堆叠、系统级封装为代表的高密度芯片集成技术，通过缩短互连距离、垂直堆叠和异构集成，在不依赖制程微缩的前提下继续提升芯片性能，是 AI 算力芯片绕不开的制造环节。
GPU：AI 算力之王的架构、生态与国产突围
定义：GPU（Graphics Processing Unit，图形处理器）是以数千至上万个计算核心做大规模并行计算的处理器芯片，最初为图形渲染而生，如今是 AI 大模型训练与推理的主力算力底座，核心壁垒是芯片架构、先进制程封装与 CUDA 软件生态的三重复合。
ASIC 芯片：AI 算力从“通用 GPU”走向“定制硅”的下半场
定义：ASIC（Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路）是为特定应用定制设计的芯片，AI 时代特指云厂商为自身训练/推理负载定制的 AI 加速器（XPU），以牺牲通用性换取能效比和单位算力成本优势，是继 GPU 之后 AI 算力的第二条主线。
电子特气：芯片工厂的“血液”，仅次于硅片的第二大耗材
定义：电子特种气体是集成电路、显示面板、光伏等电子制造中用于刻蚀、沉积、掺杂、清洗、光刻等工艺的高纯气体，纯度通常要求 5N-7N，核心壁垒是提纯技术、杂质控制、包装储运和以年计的客户认证。
氮化镓功率半导体：从快充到 AI 数据中心 800V 供电的效率革命
定义：氮化镓（GaN）功率半导体是以氮化镓材料制造的宽禁带功率器件，禁带宽度约为硅的 3 倍，开关频率和功率密度显著高于硅器件，正从消费快充向 AI 数据中心电源、新能源车和机器人渗透。
RISC-V：开源芯片架构的国产替代与三分天下之路
定义：RISC-V 是继 x86、ARM 之后的第三大指令集架构（ISA），完全开源、免费、模块化可定制，任何人拿它设计芯片不用交授权费。中国已占全球 RISC-V 芯片出货量 70%，2025 年市场规模约 200 亿元，正从 IoT/MCU 向汽车电子、AI 推理、数据中心全面渗透，2030 年全球市场预计 920 亿美元。
存储芯片：AI 超级周期与国产替代共振下的半导体主战场
定义：存储芯片是利用半导体电路实现数据写入与读取的核心器件，按断电是否保留数据分为易失性存储（DRAM、SRAM、HBM）与非易失性存储（NAND Flash、NOR Flash）两大类，是贯穿芯片设计、晶圆制造、封装测试、设备与材料的半导体主赛道，AI 算力正把它从周期品推升为超级周期主线。
华为芯片：从麒麟回归到全链条自主可控的国产半导体主线
定义：华为芯片产业是以海思麒麟、鲲鹏、昇腾为核心，覆盖芯片设计（EDA/IP）、制造代工、封装测试、设备材料到分销应用的完整国产半导体产业体系，是当前自主可控主线中链条最长、映射最全的一条。
DSP 芯片：让真实世界信号变成可计算信息的隐形刚需
定义：DSP（Digital Signal Processor，数字信号处理器）是专门用来实时、连续、低功耗处理信号的芯片，负责把声音、雷达回波、无线电波、电机电流、光模块高速电信号等连续数据滤波、变换、压缩、识别并反馈，是通信、汽车、工业、军工和光通信系统里的信号处理核心。
金刚石钻针：AI算力PCB升级催生的超硬刀具新赛道
定义：金刚石钻针是采用PCD/CVD金刚石作为切削材料的高精度PCB钻探工具，寿命是传统涂层钻针的50-100倍，核心壁垒在切削材料硬度、制造精度和客户认证周期。
磷化铟：AI 光通信与高速光模块的化合物半导体底座
定义：磷化铟（InP）是以铟和磷构成的 III-V 族化合物半导体，壁垒不只是材料本身，而是大尺寸衬底良率、外延片一致性、光芯片设计与客户认证，是 800G/1.6T 光模块、激光雷达和毫米波射频器件的关键底座。
MLCC：AI 与汽车电子驱动的被动元件国产替代主线
定义：MLCC（多层陶瓷电容器）是把陶瓷介质层与金属内电极交替叠压、共烧而成的片式电容，俗称“电子工业大米”，是全球用量最大的被动元件；核心壁垒不在能否储能，而在配方、流延、叠层、共烧的工艺一致性与车规、高容等高端认证。
导热材料：AI 算力与新能源车背后的热管理底座
定义：导热材料是一类把芯片、电池、电源模块等发热源产生的热量，更快传递到散热器、冷板、机壳或空气中的功能材料，本质是降低热量从发热源到散热系统之间的热阻。
电力芯片：电气化时代的能源控制核心
定义：电力芯片更标准的名称是功率半导体或功率器件，负责控制电压、电流、频率和电能方向，是新能源汽车、光伏储能、工业自动化、数据中心电源和电网设备的能量控制核心。
电子布：AI PCB 上游的隐形材料瓶颈
定义：电子布是由电子级玻璃纤维纱织造而成的高端玻纤布，是覆铜板和 PCB 的核心增强骨架，决定板材的尺寸稳定、绝缘可靠性、介电损耗和高速信号完整性。
磁电存储：AI 数据洪流下的新型冷存储底座
定义：磁电存储是面向 AI 数据湖、冷数据归档和政企云场景的新型大容量低功耗存储路线，核心在于用磁、电、光等介质协同降低单位容量成本和能耗。
半导体石英砂：芯片制造里的高纯材料底座
定义：半导体石英砂是用于半导体石英材料和石英制品的高纯二氧化硅原料，核心壁垒不只是 SiO₂ 含量，而是杂质控制、批次稳定性、羟基含量、气泡包裹体、粒径形貌和下游认证。
ABF载板：AI芯片封装里的隐形瓶颈
定义：ABF载板是使用 ABF 增层膜制造的高端 FC-BGA 封装基板，承担 CPU/GPU/AI ASIC 与 PCB 之间的高密度互连。
封测：从后道加工到先进封装的价值跃迁
定义：封测是半导体制造后段的封装与测试环节，负责把裸晶圆切割、互连、保护、测试并交付为可用芯片；在 Chiplet 和 AI 芯片时代，先进封装正在从后道加工升级为性能决定环节。
SiC 功率半导体：从 800V 电动车到 AI 电源的第三代半导体革命
定义：SiC（碳化硅）是第三代宽禁带半导体材料的核心代表，具备高禁带宽度、高击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速率，适合高压、高频、高温和高功率密度场景，是新能源汽车 800V 平台、光伏逆变器、储能 PCS、AI 数据中心电源、轨交牵引和工业电源升级的关键功率器件材料。
晶圆代工：国产半导体制造能力的核心载体
定义：晶圆代工是为芯片设计公司提供晶圆制造服务的商业模式，代工厂负责工艺平台、产线运营、良率爬坡和客户导入，是半导体产业链承上启下的核心制造环节。
光刻胶：国产半导体材料的核心突破口
定义：光刻胶是光刻工艺中用于感光成像的关键化学材料，决定图形转移精度、线宽控制和良率，是晶圆制造、面板和 PCB 生产不可缺少的核心耗材。
光刻机：半导体国产替代最关键的卡点设备
定义：光刻机是半导体制造中把电路图形转移到晶圆上的核心设备，决定芯片制程线宽、良率和先进制造能力，是半导体产业链最关键的卡点设备之一。
玻璃基板：先进封装时代的下一代承载平台
定义：玻璃基板是以玻璃材料替代传统有机基板，作为先进封装中芯片互连与承载平台的新型材料路线，优势在于低翘曲、高平整度、高尺寸稳定性和适合高密度布线。
半导体设备国产化：从光刻到刻蚀的全链条突围
定义：半导体设备是制造芯片的核心生产工具，包括前道（光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测、CMP、离子注入）和后道（封装、测试）两大类，是半导体产业链中技术壁垒最高、单价值量最大的环节。
HBM 高带宽存储：AI 算力时代的内存瓶颈
定义：HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储）是把多层 DRAM 芯片通过 TSV 硅通孔垂直堆叠，再借助 2.5D/3D 先进封装与 GPU、AI ASIC 等算力芯片近距离互连的高带宽内存，是 AI 训练、推理和高性能计算的关键瓶颈部件。